关于EUV掩模相关检测装置
本公司较早开始研发对应 EUV 光刻的高性能检测装置，致力于确立 EUV 掩模缺陷检测的基础技术。
目前以 6 款产品构成产品线，满足客户的多样化需求。
最先端半导体器件与 EUV
半导体器件正持续追求更小型化、更高性能，因此需要更精细、更复杂的电路。为此，大型器件厂商自 2019 年起，开始采用相较以往工艺更能形成微细图案的 EUV 光刻技术进行半导体量产。EUV 光刻是 5G（第五代移动通信系统）和 AI（人工智能）等最先端半导体制造不可或缺的技术，预计其在制造工艺中的导入将进一步扩大。
随着半导体器件的小型化与高性能化，需要更优异的检测装置。
什么是 EUV 光刻
EUV（Extreme Ultraviolet）光刻※，是使用被称为极端紫外线的极短波长（13.5nm）光的光刻技术。与采用传统 ArF 准分子激光（波长 193nm）的光刻相比，能够形成更微细的图案。
※ 光刻：在晶圆上涂布称为光刻胶（photoresist）的感光材料，通过曝光装置照射光线，再用药液去除被光照射的部分，从而形成图案（例如线状结构）的技术。曝光装置会使用绘有图案的多枚光掩模，由此形成半导体电路。
Lasertec 的 EUV 相关装置产品线
Lasertec 将以光应用技术为基础的最先端检测・测量系统，持续解决客户课题，并为社会做出贡献。
